一种导热电磁噪声抑制片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821374387.7
IPC分类号：B32B27/06;B32B27/28;B32B15/08;B32B3/12;B32B3/08
申请日期：
2018-08-24
申请人：
深圳市飞鸿达科技有限公司;华中科技大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种导热电磁噪声抑制片
申请号	CN201821374387.7	申请日期	2018-08-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B32B27/06 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B32 层状产品 B32B 层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品 B32B27/00 实质上由合成树脂组成的层状产品 B32B27/06 作为薄层的主要或惟一的成分，它与另一层由一种特定物质构成的薄层相贴	IPC分类号	B;3;2;B;2;7;/;0;6;;;B;3;2;B;2;7;/;2;8;;;B;3;2;B;1;5;/;0;8;;;B;3;2;B;3;/;1;2;;;B;3;2;B;3;/;0;8查看分类表>
申请人	深圳市飞鸿达科技有限公司;华中科技大学	申请人地址	广东省深圳市光明新区公明街道东坑社区华丰科技园四号一楼A2、五楼A 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市飞鸿达科技有限公司,华中科技大学	当前权利人	深圳市飞鸿达科技有限公司,华中科技大学
发明人	王政华;王鲜;杨家稷;李寅瑞;龚荣洲
代理机构	武汉东喻专利代理事务所（普通合伙）	代理人	赵伟

摘要

本实用新型属于电磁噪声吸收技术领域，公开了一种导热电磁噪声抑制片，包括有机硅树脂基吸波介质顶层、有机硅树脂基吸波介质底层，以及嵌于有机硅树脂基吸波介质顶层与底层间的电磁带隙结构层；其中，有机硅树脂基吸波介质层为有机硅树脂与电磁波吸收剂复合体；电磁带隙结构层包括若干金属箔网格和吸波介质层，金属箔网格均匀分布在吸波介质层并固定；本实用新型提供的这种导热电磁噪声抑制片，利用电磁带隙结构在有机硅树脂基吸波介质内构建导热网络、并利用其电磁波调控特性实现吸波能力增强，显著改善吸波贴片的导热性能和电磁噪声抑制能力，与现有的导热吸波贴片相比，吸波带宽和中心频率损耗强度均得到显著提升。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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