中心供液化学机械抛光半导体材料的加工方法及其装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110468153.9
IPC分类号：B24B1/00;B24B57/02;B24B37/10;B24B37/24;B24B37/34
申请日期：
2021-04-28
申请人：
天津大学

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著录项信息

专利名称	中心供液化学机械抛光半导体材料的加工方法及其装置
申请号	CN202110468153.9	申请日期	2021-04-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-27	公开/公告号	CN113172483A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B1/00 磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备（以使用专用机床或装置为特征的工艺，见与这些机床或装置相关的位置）〔4〕	IPC分类号	B;2;4;B;1;/;0;0;;;B;2;4;B;5;7;/;0;2;;;B;2;4;B;3;7;/;1;0;;;B;2;4;B;3;7;/;2;4;;;B;2;4;B;3;7;/;3;4查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	林彬;吕秉锐;曹中臣;姜向敏
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种中心供液化学机械抛光半导体材料的加工方法，抛光工具自转，抛光工具和半导体工件按照一定轨迹相互运动，通过控制抛光液压力和抛光工具载荷实现抛光工具与半导体工件间液膜的良好控制；采用具体的抛光工艺时，在抛光工具上选择安装本发明中提供的适用的磨抛垫。采用固结磨料中心供液抛光后，晶片平整度可达微米量级，表面粗糙度可达几十纳米，亚表面损伤可达微米量级；采用小磨头中心供液抛光后，晶片平整度进一步提高，表面粗糙度可达纳米级，亚表面损伤进一步减小；采用盘式流体动压抛光后，晶片表面粗糙度可达亚纳米级，亚表面损伤可达亚微米级别，实现亚纳米级超光滑表面加工，从而制备理想晶片。

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