一种复合电磁屏蔽材料及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610081226.4
IPC分类号：H05K9/00;G12B17/02
申请日期：
2006-05-26
申请人：
安泰科技股份有限公司;钢铁研究总院

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专利名称	一种复合电磁屏蔽材料及其制造方法
申请号	CN200610081226.4	申请日期	2006-05-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-25	公开/公告号	CN1852653
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K9/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K9/00 设备或元件对电场或磁场的屏蔽（用于吸收-天线辐射的设备入H01Q17/00）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;5;K;9;/;0;0;;;G;1;2;B;1;7;/;0;2查看分类表>
申请人	安泰科技股份有限公司;钢铁研究总院	申请人地址	北京市海淀区学院南路76号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安泰科技股份有限公司	当前权利人	安泰科技股份有限公司
发明人	李德仁;刘天成;孙克;卢志超;周少雄;刘迎春;张亮;许肖利
代理机构	北京中安信知识产权代理事务所	代理人	金向荣

摘要

本发明属于磁性功能材料领域，涉及一种新型电磁屏蔽材料及其制造方法。本发明是在软磁材料基体的两个表面电沉积一层金属铜形成复合电磁屏蔽材料。所述软磁材料是用快淬方法制备的纳米晶或非晶带材，厚度在20～40μm之间；基体软磁材料的成分由Fe，Co，Ni，Cu，Nb，Zr，Hf，Si，B，P中的金属和非金属元素组成，该软磁材料采用单辊或双辊快淬方法制备。而电沉积的双面铜导电层总厚度在1～50μm之间。沉积的金属铜是在含有铜离子的酸性或碱性电解液中，使用直流或交流电源沉积得到。本发明的优点是该复合材料具有优良的电磁屏蔽性能，其屏蔽的频率范围在50Hz-20GHz，屏蔽效能达到80dB以上。

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