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用于制造铜陶瓷复合基片的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03810774.0
  • IPC分类号:C04B37/02;H05K3/38;H01L23/373;H01L21/48
  • 申请日期:
    2003-05-03
  • 申请人:
    于尔根·舒尔策-哈德
著录项信息
专利名称用于制造铜陶瓷复合基片的方法
申请号CN03810774.0申请日期2003-05-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-08-10公开/公告号CN1653016
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B37/02IPC分类号C;0;4;B;3;7;/;0;2;;;H;0;5;K;3;/;3;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人于尔根·舒尔策-哈德申请人地址
奥地利 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人库拉米克电子学有限公司,库拉米克控股有限公司在李渠当前权利人库拉米克电子学有限公司,库拉米克控股有限公司在李渠
发明人于尔根·舒尔策-哈德
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人张兆东
摘要
本发明涉及一种用于制造铜陶瓷复合基片的方法。根据这种方法,箔材坯料至少在一个表面上被氧化,接下来被氧化过的箔材坯料在一种保护气体氛围中进行回火处理,然后通过DCB过程将箔材坯料与陶瓷复合在一起。

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