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多层电子组件及制造该多层电子组件的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811120412.3
  • IPC分类号:H01G4/12;H01G4/30;H01G13/00
  • 申请日期:
    2018-09-26
  • 申请人:
    三星电机株式会社
著录项信息
专利名称多层电子组件及制造该多层电子组件的方法
申请号CN201811120412.3申请日期2018-09-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-04-09公开/公告号CN109599266A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G4/12IPC分类号H;0;1;G;4;/;1;2;;;H;0;1;G;4;/;3;0;;;H;0;1;G;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人三星电机株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电机株式会社当前权利人三星电机株式会社
发明人韩昇勳;赵成珉;吴东俊
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人祝玉媛;武慧南
摘要
本发明提供一种多层电子组件及制造该多层电子组件的方法,所述多层电子组件包括:电容器主体,所述电容器主体包括设置为分别通过相对的表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;第一薄膜层和第二薄膜层,所述第一薄膜层和第二薄膜层包括氮化钛(TiN)、钌(Ru)、铂(Pt)、铱(Ir)和钛(Ti)中的至少一种,设置在所述电容器主体的表面上,并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极;以及第一外电极和第二外电极,所述第一外电极和第二外电极分别形成在所述第一薄膜和所述第二薄膜层上。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。

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