一种高延伸性电解铜箔及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110498749.3
IPC分类号：C25D1/04;C25D3/38;C25D7/06;C21D1/26;C21D1/74;C21D9/46;C22F1/08;C22F1/02
申请日期：
2021-05-08
申请人：
中国科学院金属研究所

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著录项信息

专利名称	一种高延伸性电解铜箔及其制备方法
申请号	CN202110498749.3	申请日期	2021-05-08
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113621999A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D1/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D1/00 电铸〔2〕 C25D1/04 丝；带；箔〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;/;0;4;;;C;2;5;D;3;/;3;8;;;C;2;5;D;7;/;0;6;;;C;2;1;D;1;/;2;6;;;C;2;1;D;1;/;7;4;;;C;2;1;D;9;/;4;6;;;C;2;2;F;1;/;0;8;;;C;2;2;F;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	卢磊;程钊;金帅
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	于晓波

摘要

本发明公开了一种高延伸性电解铜箔以及制备方法，属于覆铜板用电解铜箔制备技术领域。首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔，再对纳米孪晶铜箔进行退火处理，即获得所述高延伸性电解铜箔，其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该电解铜箔沿其厚度方向存在一个或多个晶粒，晶粒尺寸范围为0.5‑20微米；晶粒内部存在一个或多个孪晶片层。该电解铜箔的厚度为12微米时，其延伸率高达15％，抗拉强度为191MPa，在挠性覆铜板领域具有较好的应用前景。

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