CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110307620.X
IPC分类号：C30B29/46;C30B11/00;C30B33/02;C30B33/00
申请日期：
2021-03-23
申请人：
中广核工程有限公司;深圳中广核工程设计有限公司;上海大学

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专利名称	CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法
申请号	CN202110307620.X	申请日期	2021-03-23
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-07-23	公开/公告号	CN113151901A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中广核工程有限公司;深圳中广核工程设计有限公司;上海大学	申请人地址	广东省深圳市大鹏新区鹏飞路大亚湾核电基地工程公司办公大楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中广核工程有限公司,深圳中广核工程设计有限公司,上海大学	当前权利人	中广核工程有限公司,深圳中广核工程设计有限公司,上海大学
发明人	田亚杰;闵嘉华;王坤元;王林军;张继军;李磊;刘洪涛
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	陈春渠

摘要

本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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