一种多波段紫外光激发单一基质白光荧光材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610861078.1
IPC分类号：C09K11/59
申请日期：
2016-09-28
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利名称	一种多波段紫外光激发单一基质白光荧光材料及其制备方法
申请号	CN201610861078.1	申请日期	2016-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-03	公开/公告号	CN107868661A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/59 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/59 含硅〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;5;9查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市长宁区定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	周真真;刘茜;刘光辉;万洁琼;倪佳;胡月
代理机构	上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郑优丽;熊子君

摘要

本发明涉及一种多波段紫外光激发单一基质白光荧光材料及其制备方法，所述荧光材料的化学式为Ba1‑x(Zr,Ti)Si3O9:xEu，其中Eu2+和Eu3+共存，0＜x≤0.30。本发明涉及的Ba1‑x(Zr,Ti)Si3O9:xEu荧光材料中Eu2+的5d‑4f特征发射、Eu3+的4f‑4f特征发射和Ti4+‑O2‑电荷迁移态跃迁多个发光中心的同时存在，使本发明涉及的荧光材料Ba1‑x(Zr,Ti)Si3O9:xEu成为一种在从极远紫外到近紫外的多波段紫外光激发下都可以通过各发光中心的特征发射光混合直接形成白光发射的单一基质白光荧光材料。

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