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一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010701740.3
  • IPC分类号:C30B29/22;C30B7/08;G02B6/02;G02F1/35;G02F1/355
  • 申请日期:
    2020-07-21
  • 申请人:
    山东大学
著录项信息
专利名称一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用
申请号CN202010701740.3申请日期2020-07-21
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-11-03公开/公告号CN111876827A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/22IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;C;3;0;B;7;/;0;8;;;G;0;2;B;6;/;0;2;;;G;0;2;F;1;/;3;5;;;G;0;2;F;1;/;3;5;5查看分类表>
申请人山东大学申请人地址
山东省济南市历城区山大南路27号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东大学当前权利人山东大学
发明人任燕;刘雪妮;张承乾
代理机构济南金迪知识产权代理有限公司代理人王素平
摘要
本发明提供了一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用。所述磷酸二氢钾类单晶光纤为四方相磷酸二氢钾单晶光纤、单斜相磷酸二氢钾单晶光纤、四方相磷酸二氘钾单晶光纤或单斜相磷酸二氘钾单晶光纤。上述光纤的制备方法,包括步骤:将磷酸二氢钾(KDP)加入溶剂中,密封加热溶解得到澄清磷酸二氢钾溶液;将所得溶液在70‑90℃过热48小时,之后过滤至生长槽中,冷却至0‑30℃,得到过饱和溶液;向上述过饱和溶液中加入晶种,在生长槽密封状态下生长,生长得到单晶光纤。本发明的生长方法,成功率高,重复性好。本发明的光纤拥有极大的长径比,光纤直径可控,表面光滑,光纤质量高,可应用于微型非线性频率转换及电光器件的制备。

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