半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911198495.2
IPC分类号：H01L23/532;H01L21/768
申请日期：
2019-11-29
申请人：
长鑫存储技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201911198495.2	申请日期	2019-11-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112885812A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/532 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/532 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	左权
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤

摘要

该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，能够提高使用该互连层的半导体器件的可靠性及稳定性。所述半导体结构包括：衬底；依次形成在所述衬底上方的第一器件层和第二器件层；形成于所述第一器件层和第二器件层之间的介电层，所述介电层内镶嵌有金属层，所述金属层的第一端和第二端分别外露于所述介电层的上底面和下底面；所述金属层外表面形成有阻挡层包裹所述金属层，以阻挡金属层内的金属离子与所述第一器件层、第二器件层以及介电层之间发生电迁移。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供