具有电荷吸收掺杂区域的光电二极管阵列

发明专利有效专利

申请号：
CN201480006270.1
IPC分类号：H01L27/146
申请日期：
2014-01-31
申请人：
新成像技术公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有电荷吸收掺杂区域的光电二极管阵列
申请号	CN201480006270.1	申请日期	2014-01-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-30	公开/公告号	CN104956484A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H01L27/146查看分类表>
申请人	新成像技术公司	申请人地址	法国韦里耶尔*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	新成像技术公司	当前权利人	新成像技术公司
发明人	Y·尼
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明涉及光电二极管阵列，以及用于制造光电二极管阵列的方法，所述光电二级管阵列包括‑阴极，所述阴极包括至少一个由磷化铟族的材料制备的衬底层(4)和一个由镓铟砷族的材料制备的有源层(5)，并且所述阵列特征在于所述阵列进一步包括至少两种相同类型的至少部分地在有源层(5)中形成的掺杂区域：‑第一掺杂区域(3)，其与阴极一起形成用于图像的形成的光电二极管；‑至少一个第二掺杂区域(8)，其吸收过量电荷载流子从而将过量电荷载流子排出。

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发明授权

具有电荷吸收掺杂区域的光电二极管阵列

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