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专利名称 | 三极管虚焊的判定方法及其装置 |
申请号 | CN201310367755.0 | 申请日期 | 2013-08-21 |
法律状态 | 授权 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 2014-01-08 | 公开/公告号 | CN103499758A |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | G01R31/02 | IPC分类号 | G;0;1;R;3;1;/;0;2查看分类表>
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申请人 | 深圳市晶导电子有限公司 | 申请人地址 | 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园三号厂房1-4层
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权利人 | 深圳市晶导电子有限公司 | 当前权利人 | 深圳市晶导电子有限公司 |
发明人 | 廖志强;张贵斌;全新 |
代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 邓云鹏 |
摘要
一种三极管的虚焊的判定方法,包括:依次测量所述三极管的基极电流由小到大的正向压降;对所述正向压降依次进行减法运算,以得到压降差;对所述压降差进行除法运算,以得到比例参数;根据所述比例参数是否落入预定的正常参数范围,判断所述三极管是否存在虚焊。本发明还提供一种相应的三极管虚焊的判定装置。
1.一种三极管的虚焊的判定方法,包括:
依次测量所述三极管的基极电流由小到大对应的基极和发射极之间的正向压降;
对所述正向压降依次进行减法运算,以得到压降差;
对所述压降差进行除法运算,以得到比例参数;
根据所述比例参数是否落入预定的正常参数范围,判断所述三极管是否存在虚焊。
2.如权利要求1所述的三极管的虚焊的判定方法,其特征在于:测量三个所述正向压降,并依次计算所述三个正向压降之间的压降差。
3.如权利要求1所述的三极管的虚焊的判定方法,其特征在于:所述比例参数的计算式为DIVID=DELTA2/DELTA1,其中DELTA1=VFBE2-VFBE1、DELTA2=VFBE3-VFBE2,VFBE1、VFBE2、VFBE3分别为所述三极管的基极电流由小到大所测量得到的正向压降。
4.如权利要求1所述的三极管的虚焊的判定方法,其特征在于:测量多组所述正向压降并据以计算多个所述比例参数,分别比较所述比例参数是否落入预定的正常参数范围,以判断所述三极管是否存在虚焊。
5.如权利要求1所述的三极管的虚焊的判定方法,进一步包括:测量多组所述正向压降并据以计算多个所述比例参数,将所述多个比例参数进行除法运算,并将所述除法运算所得的比例参数与预设的正常参数范围进行比较,以判断所述三极管是否存在虚焊。
6.一种三极管虚焊的判定装置,包括:
压降测量单元,用于根据电流源给定的基极电流测量待定三极管的基极电流由小到大对应的基极和发射极之间正向压降;
减法单元,用于将压降测量单元所测得的正向压降进行减法运算,以分别得到对应的压降差;
除法单元,用于将减法单元进行减法运算所得到的压降差进行除法运 算,以得到相应的比例参数;
比较单元,用于将除法单元的除法运算所得到的比例参数与预先设定的正常参数范围相比较,以确定所述三极管是否存在虚焊。
7.如权利要求6所述的三极管虚焊的判定装置,其特征在于:所述压降测量单元用于测量三个所述正向压降;所述减法单元相应地依次计算所述三个正向压降之间的压降差。
8.如权利要求6所述的三极管虚焊的判定装置,其特征在于:所述比例参数的计算式为DIVID=DELTA2/DELTA1,其中DELTA1=VFBE2-VFBE1、DELTA2=VFBE3-VFBE2,VFBE1、VFBE2、VFBE3分别为所述三极管的基极电流由小到大所测量得到的正向压降。
9.如权利要求6所述的三极管虚焊的判定装置,其特征在于:所述压降测量单元用于测量多组正向压降,所述减法单元相应地分别对所述多组正向压降依次进行减法运算以得到相应的压降差,所述除法单元相应地计算所述各组正向压降所对应的比例参数,以供所述比较单元进行比较。
10.如权利要求9所述的三极管虚焊的判定装置,其特征在于:所述除法单元还用于对几组正向压降所算得的比例参数之间进行除法运算,以得到比例参数之间的比例,所述比较单元相应地对所述比例参数之间的比例进行比较。
三极管虚焊的判定方法及其装置\n技术领域\n[0001] 本发明涉及一种判断三极管焊接可靠性的方法及其装置,具体地,本发明涉及一种三极管虚焊的判定方法及其装置。\n背景技术\n[0002] 随着电力电子技术的发展,对三极管的可靠性的要求越来越高,而通过一般的测试方法测试时往往产品的各种电性能表现良好,但是在实际使用中又会出现各种不良。\n[0003] 经过分析发现,三极管产品虚焊是导致三极管工作不良的一个重要因素。三极管在生产过程中,最后的成品过程需要将三极管芯片的基极、发射极分别与对应的框架管脚进行焊接。在此过程中,连接框架管脚与芯片的金属线焊接不良即会导致虚焊。\n[0004] 目前一般的测试方法只对三极管的电参数进行测试,没有对三极管是否虚焊进行测试,因此有必要发明一种测试方法来将虚焊的产品筛选出来。\n发明内容\n[0005] 有鉴于此,有必要提供一种三极管虚焊的判定方法。\n[0006] 此外,还有必要提供一种相应的三极管虚焊的判定装置。\n[0007] 一种三极管的虚焊的判定方法,包括:\n[0008] 依次测量所述三极管的基极电流由小到大的正向压降;\n[0009] 对所述正向压降依次进行减法运算,以得到压降差;\n[0010] 对所述压降差进行除法运算,以得到比例参数;\n[0011] 根据所述比例参数是否落入预定的正常参数范围,判断所述三极管是否存在虚焊。\n[0012] 可选地,测量三个所述正向压降,并依次计算所述三个正向压降之间的压降差。\n[0013] 可选地,所述比例参数的计算式为DIVID=DELTA2/DELTA1,其中DELTA1=VFBE2-VFBE1、DELTA2=VFBE3-VFBE2,VFBE1、VFBE2、VFBE3分别为所述三极管的基极电流由小到大所测量得到的正向压降。\n[0014] 可选地,测量多组所述正向压降并据以计算多个所述比例参数,分别比较所述比例参数是否落入预定的正常参数范围,以判断所述三极管是否存在虚焊。\n[0015] 可选地,所述三极管的虚焊的判定方法进一步包括:将所述多个比例参数进行除法运算,并将所述除法运算所得的比例参数与预设的正常参数范围进行比较,以判断所述三极管是否存在虚焊。\n[0016] 一种三极管虚焊的判定装置,包括:\n[0017] 压降测量单元,用于根据电流源给定的基极电流测量待定三极管的正向压降;\n[0018] 减法单元,用于将压降测量单元所测得的正向压降进行减法运算,以分别得到对应的压降差;\n[0019] 除法单元,用于将减法单元进行减法运算所得到的压降差进行除法运算,以得到相应的比例参数;\n[0020] 比较单元,用于将除法单元的除法运算所得到的比例参数与预先设定的正常参数范围相比较,以确定所述三极管是否存在虚焊。\n[0021] 可选地,所述压降测量单元用于测量三个所述正向压降;所述减法单元相应地依次计算所述三个正向压降之间的压降差。\n[0022] 可选地,所述比例参数的计算式为DIVID=DELTA2/DELTA1,其中DELTA1=VFBE2-VFBE1、DELTA2=VFBE3-VFBE2,VFBE1、VFBE2、VFBE3分别为所述三极管的基极电流由小到大所测量得到的正向压降。\n[0023] 可选地,所述压降测量单元用于测量多组正向压降,所述减法单元相应地分别对所述多组正向压降依次进行减法运算以得到相应的压降差,所述除法单元相应地计算所述各组正向压降所对应的比例参数,以供所述比较单元进行比较。\n[0024] 可选地,所述除法单元还用于对几组正向压降所算得的比例参数之间进行除法运算,以得到比例参数之间的比例,所述比较单元相应地对所述比例参数之间的比例并进行比较。\n[0025] 通常地,三极管的正向压降由其制造参数决定,因而对于合格无虚焊的三极管而言,其正向压降根据基极电流的变化而发生的变化也存在合理的范围,依照本发明的三极管虚焊的判定方法与判定装置所得的比例参数若超出该合理的范围,则可以判断该三极管存在虚焊、不合格。该三极管的虚焊判定方法与判定装置可以对三极管是否虚焊进行测试、判断并筛选,避免有虚焊的产品出厂,提高产品的可靠性。\n附图说明\n[0026] 图1是本发明一种实施方式的三极管虚焊的判定方法的流程图。\n[0027] 图2是图1所示的测量待判定三极管所对应正向压降的测量电路示意图。\n[0028] 图3是本发明另一种实施方式的三极管虚焊的判定方法的流程图。\n[0029] 图4是本发明一种实施方式的三极管虚焊的判定装置的结构示意图。\n具体实施方式\n[0030] 图1所示为本发明一种实施方式的三极管虚焊的判定方法的流程图,该判定方法包括:\n[0031] 步骤102,依据基极电流IB自小而大的顺序,分别测量待判定三极管所对应的正向压降VFBE,记为VFBE1、VFBE2、VFBE3。示例地,一种用于测量三极管正向压降的测量电路如图2所示。测量中,待测试三极管202的基极接电流源204,以为基极提供所需要的测试电流,电压表206分别连接在待测试三极管202的基极和发射极之间,以测试所述三极管202的正向压降。\n[0032] 步骤104,对所测得的正向压降依次进行相减运算,分别得到两个压降差。具体地,分别对VFBE1、VFBE2及VFBE2、VFBE3进行相减运算,以分别得到压降差DELTA1与DELTA2,即DELTA1=VFBE2-VFBE1,DELTA2=VFBE3-VFBE2。\n[0033] 步骤106,对步骤104的相减运算所得的压降差进行除法运算,以得到比例参数DIVID1。具体地,DIVID1=DELTA2/DELTA1。\n[0034] 步骤108,根据所述比例参数是否落入预设的合格范围判断所述三极管是否存在不合格或虚焊。\n[0035] 通常地,三极管的正向压降由其制造参数决定,因而对于合格无虚焊的三极管而言,其正向压降根据基极电流的变化而发生的变化也存在合理的范围,依照本发明上述实施方式的三极管虚焊的判定方法所得的比例参数若超出该合理的范围,则可以判断该三极管存在虚焊、不合格。该三极管的虚焊判定方法可以对三极管是否虚焊进行测试、判断并筛选,避免有虚焊的产品出厂,提高产品的可靠性。\n[0036] 在其他可选的实施方式中,可以在不同情形下分别测量并计算上述比例参数,并分别判断所得的比例参数是否在合理范围内。此外,还可以通过计算比例参数之间的比例的方式进一步判断三极管的工作性能是否稳定,并进一步据此判断该三极管是否存在虚焊、不合格。图3所示为本发明另一种实施方式的三极管虚焊的判定方法的流程图,该判定方法包括:\n[0037] 步骤302,依据基极电流IB自小而大的顺序,分别测量待判定三极管所对应的第一组正向压降VFBE,记为VFBE1、VFBE2、VFBE3。所述第一组正向压降的测试方法与前述图2所示的测试类似,不再赘述。\n[0038] 步骤304,对所测得的第一组正向压降依次进行相减运算,分别得到两个第一压降差。具体地,分别对VFBE1、VFBE2及VFBE2、VFBE3进行相减运算,以分别得到第一压降差DELTA1与DELTA2,即DELTA1=VFBE2-VFBE1,DELTA2=VFBE3-VFBE2。\n[0039] 步骤306,对步骤304的相减运算所得的第一压降差进行除法运算,以得到第一比例参数DIVID1。具体地,DIVID1=DELTA2/DELTA1。\n[0040] 步骤308,等待三极管的其他电参数测试完毕。具体地,三极管的其他待测参数包括BVCBO(集电极-基极击穿电压)、BVCEO(集电极-发射极击穿电压)、BVEBO(发射极-基极反向击穿电压)、ICBO(集电极-基极反向饱和电流)、ICEO(集电极-发射极反向电流)、IEBO(发射极-基极反向电流)等。\n[0041] 步骤310,依据基极电流IB自小而大的顺序,分别测量待判定三极管所对应的第二组正向压降VFBE,记为VFBE4、VFBE5、VFBE6。具体地,所述第二组正向压降的测试亦可采用前述图\n2所述的测试方式。\n[0042] 步骤312,对所测得的第二组正向压降依次进行相减运算,分别得到两个第二压降差。具体地,分别对VFBE4、VFBE5及VFBE5、VFBE6进行相减运算,以分别得到第二压降差DELTA3与DELTA4,即DELTA3=VFBE5-VFBE4,DELTA4=VFBE6-VFBE5。\n[0043] 步骤314,对步骤312的相减运算所得的第二压降差进行除法运算,以得到第二比例参数DIVID2。具体地,DIVID2=DELTA4/DELTA3。\n[0044] 步骤316,对步骤306所得的第一比例参数与步骤314所得的第二比例参数进行除法运算,以得到第三比例参数DIVID3。具体地,DIVID3=DIVID2/DIVID1。\n[0045] 步骤318,分别判断所述第一比例参数DIVID1、所述第二比例参数DIVID2及所述第三比例参数DIVID3是否落入预设的合格范围,以判断所述三极管是否存在虚焊、不合格。\n[0046] 通常地,三极管的正向压降由其制造参数决定,因而对于合格无虚焊的三极管而言,其正向压降根据基极电流的变化而发生的变化也存在合理的范围,依照本发明上述实施方式的三极管虚焊的判定方法所得的比例参数若超出该合理的范围,则可以判断该三极管存在虚焊、不合格。通过在不同情形下测量、计算所述比例参数,可以进一步判断所述三极管的工作是否稳定无异常,并进一步可靠地判断所述三极管是否存在虚焊、不合格。该三极管的虚焊判定方法可以对三极管是否虚焊进行测试、判断并筛选,避免有虚焊的产品出厂,提高产品的可靠性。\n[0047] 如图4所示,根据本发明的三极管虚焊的判定装置的一种实施方式,该判定装置包括:压降测量单元402、减法单元404、除法单元406、比较单元408。\n[0048] 压降测量单元402用于根据电流源给定的基极电流测量待定三极管的正向压降。\n[0049] 减法单元404用于将压降测量单元402所测得的正向压降进行减法运算,以分别得到对应的压降差。\n[0050] 除法单元406用于将减法单元404进行减法运算所得到的压降差进行除法运算,以得到相应的比例参数。\n[0051] 比较单元408用于将除法单元406的除法运算所得到的比例参数与预先设定的正常参数范围相比较,若所述比例参数落入预设的该比例参数的正常范围,则判定该三极管不存在虚焊;若所述比例参数未落入预设的正常范围,则判定该三极管存在虚焊、不合格。\n[0052] 在可选的实施方式中,可以通过测量一组正向压降,并计算相应的压降差和比例参数以进行比较确定所述三极管是否存在虚焊。在其他可选的实施方式中,还可以如图3所示的实施方式中,测量几组正向压降,并分别计算其压降差和比例参数进行比较,除法单元\n406还用于对几组正向压降所算得的比例参数之间进行除法运算,以得到比例参数之间的比例,比较单元408用于对所述比例参数及所述比例参数之间的比例并进行比较。理论而言,对于工作稳定的三极管,其各组正向压降所算得的比例参数应具有较高的重复性,因而各组正向压降所计算而得的比例参数再作除法运算所得的比例越接近1,则说明所述三极管的工作稳定性越高。\n[0053] 通常地,三极管的正向压降由其制造参数决定,因而对于合格无虚焊的三极管而言,其正向压降根据基极电流的变化而发生的变化也存在合理的范围,依照本发明上述实施方式的三极管虚焊的判定装置所得的比例参数若超出该合理的范围,则可以判断该三极管存在虚焊、不合格。通过在不同情形下测量、计算所述比例参数,可以进一步判断所述三极管的工作是否稳定无异常,并进一步可靠地判断所述三极管是否存在虚焊、不合格。该三极管的虚焊判定装置可以对三极管是否虚焊进行测试、判断并筛选,避免有虚焊的产品出厂,提高产品的可靠性。\n[0054] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
法律信息
- 2016-09-14
- 2014-02-12
实质审查的生效
IPC(主分类): G01R 31/02
专利申请号: 201310367755.0
申请日: 2013.08.21
- 2014-01-08
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有引用任何外部专利数据! |
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序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |