多层式存储闪存阵列的编程方式及其切换控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110138945.6
IPC分类号：G11C11/409;G11C11/22
申请日期：
2011-05-26
申请人：
忆正存储技术（武汉）有限公司

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著录项信息

专利名称	多层式存储闪存阵列的编程方式及其切换控制方法
申请号	CN201110138945.6	申请日期	2011-05-26
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-08	公开/公告号	CN102347069A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/409 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/4063 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕 G11C11/407 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/409 读写〔R-W〕电路〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;9;;;G;1;1;C;1;1;/;2;2查看分类表>
申请人	忆正存储技术（武汉）有限公司	申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新二路特一号关南工业园2号厂房2-3楼西面变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	至誉科技（武汉）有限公司	当前权利人	至誉科技（武汉）有限公司
发明人	霍文捷;邢翼鹏;周东霞
代理机构	北京市德权律师事务所	代理人	周发军

摘要

本发明涉及半导体存储领域多层式存储闪存器件的可靠性的编程方式。本发明基于在编程的过程中跳过一些特定逻辑页，以降低浮栅耦合效应对的闪存操作影响的技术构思，提出几种提高多层式存储闪存器件的编程方式及其切换控制方法。通过跳过某些逻辑页，本发明有效降低了多层式存储闪存在编程过程中水平、对角、垂直方向的浮栅耦合效应，从而降低错误率，延长器件的使用寿命，提高系统整体的可靠性。

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