阵列基板及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611262681.4
IPC分类号：G02F1/1362;G02F1/1343
申请日期：
2016-12-30
申请人：
深圳市华星光电技术有限公司

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专利名称	阵列基板及其制作方法
申请号	CN201611262681.4	申请日期	2016-12-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106773411A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/1362 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕 G02F1/133 构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置（用于控制矩阵中液晶元件并且在结构上不与这些元件相连的装置或电路入G09G 3/36）〔3，7〕 G02F1/136 结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元（G02F 1/135优先）〔5〕 G02F1/1362 有源矩阵寻址单元〔7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3查看分类表>
申请人	深圳市华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市华星光电技术有限公司	当前权利人	深圳市华星光电技术有限公司
发明人	任维
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司	代理人	孙伟峰;武岑飞

摘要

本发明公开一种阵列基板，其包括TFT基板、绝缘保护层、像素电极和公共电极，所述绝缘保护层设置在所述TFT基板上，所述像素电极和所述公共电极彼此独立地设置在所述绝缘保护层上，所述像素电极和/或所述公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制成。本发明还公开一种该阵列基板的制作方法。本发明的像素电极和公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制作而成，可以满足低阻抗需求，并且光线可以穿透超薄金属材料层，从而会大幅度提升开口率和光线穿透率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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