高纯纳米晶LaB6块体材料的原位合成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610012297.9
IPC分类号：C01B35/04
申请日期：
2006-06-16
申请人：
北京工业大学

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专利名称	高纯纳米晶LaB6块体材料的原位合成方法
申请号	CN200610012297.9	申请日期	2006-06-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-17	公开/公告号	CN1896001
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B35/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B35/00 硼；其化合物（甲硼烷，乙硼烷，金属硼氢化物或其加成配合物入C01B 6/00；过硼酸盐入 C01B 15/12；含氮的二元化合物入 C01B 21/06；磷化物入 C01B 25/08；碳化物入C01B 32/991）〔1，2，2006.01〕 C01B35/02 硼；硼化物〔2〕 C01B35/04 金属硼化物〔2〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;5;/;0;4查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	张久兴;曾宏;周身林;刘丹敏;岳明;左铁镛
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	刘萍

摘要

一种原位合成高纯纳米晶LaB6块体材料的制备方法，属于热电子发射阴极材料的制备技术领域。现有技术制备出来的LaB6材料发射性能差，晶粒粗大，抗弯强度低。本发明方法中，利用氢电弧等离子蒸发设备，以金属镧作为阳极，金属钨作为阴极，在氢气和氩气的混合气氛下，将原料金属镧块制备成颗粒尺寸在20-100纳米之间氢化镧纳米粉末；将该氢化镧纳米粉末放入氩气保护的预处理室，与纳米级的硼粉按La元素和B元素的摩尔比为1∶6配置，研磨均匀后装入石墨模具；将装好粉末的石墨模具放入放电等离子烧结设备中进行烧结。本发明制备的LaB6块体材料纯度高，平均晶粒度为150nm左右，最大抗弯强度达到249.59MPa，是一种快速原位制备高纯度高性能LaB6块体材料的方法。

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