半导体元件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810039106.7
IPC分类号：H01L21/8247;H01L27/115
申请日期：
2008-06-18
申请人：
和舰科技（苏州）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体元件及其制造方法
申请号	CN200810039106.7	申请日期	2008-06-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-23	公开/公告号	CN101609815
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人	和舰科技（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	和舰科技（苏州）有限公司	当前权利人	和舰科技（苏州）有限公司
发明人	李秋德
代理机构	上海天翔知识产权代理有限公司	代理人	刘粉宝

摘要

一种半导体元件的制造方法。此方法是先提供具有电路区、电容区与记忆胞区的第一导电型的基底。然后，于电容区的基底中形成沟渠。接着，于记忆胞区的基底上依次形成第一介电层与第一导体层。而后，于基底上形成ONO层。之后，移除电路区的ONO层。随后，于电路区的基底上形成第三介电层。然后，于基底上形成第二导体层。接着，于记忆胞区定义出第一闸极结构。而后，于电路区定义出第二闸极结构，以及于电容区定义出电容结构。之后，于第一闸极结构、第二闸极结构与电容结构二侧的基底中形成第二导电型的掺杂区。

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