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一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610996062.1
IPC分类号：G11C16/22
申请日期：
2016-11-11
申请人：
北京兆易创新科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置
申请号	CN201610996062.1	申请日期	2016-11-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-25	公开/公告号	CN108074614A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/22 防止对存储单元的未授权或意外访问的安全或保护电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;2查看分类表>
申请人	北京兆易创新科技股份有限公司	申请人地址	北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京兆易创新科技股份有限公司	当前权利人	北京兆易创新科技股份有限公司
发明人	张建军;胡洪;舒清明
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	孟金喆;胡彬

摘要

本发明提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置。该方法包括：获取故障存储单元的地址；确定选中存储单元；判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置；若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上；对所述故障存储单元进行编程。本发明提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置，提高了NOR型FLASH的稳定性。

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