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基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510955488.8
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2015-12-18
  • 申请人:
    南京邮电大学
著录项信息
专利名称基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法
申请号CN201510955488.8申请日期2015-12-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-05-04公开/公告号CN105552221A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人南京邮电大学申请人地址
江苏省南京市栖霞区文苑路9号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京邮电大学当前权利人南京邮电大学
发明人陈润锋;林诚;黄维
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人许方
摘要
本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器,在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层,ITO膜层上设有活性层,活性层上设有金属电极,活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料,该纳米复合材料以二硫化钼为多体,另一种半导体材料的纯度大于90%。本发明还公开了上述电存储器的制备方法。本发明通过将二硫化钼与另一种半导体材料掺杂得到的纳米复合材料作为活性层,得到Flash型存储器件,且存储器件的性能有所提高。

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