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非易失性存储器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410001543.1
  • IPC分类号:G11C29/00
  • 申请日期:
    2004-01-13
  • 申请人:
    株式会社瑞萨科技
著录项信息
专利名称非易失性存储器
申请号CN200410001543.1申请日期2004-01-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-08-04公开/公告号CN1517947
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C29/00IPC分类号G;1;1;C;2;9;/;0;0查看分类表>
申请人株式会社瑞萨科技申请人地址
日本神奈川 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社,恩益禧电子股份有限公司当前权利人瑞萨电子株式会社,恩益禧电子股份有限公司
发明人涩谷洋文;原郁夫;后藤启之;盐田茂雅
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
本发明目的是检测、通知、和存储半导体存储器中的异常区域,以极大地改进可靠性。存储卡所拥有的半导体存储器内部包含用户区、替换区、区域替换信息存储区、和管理区。半导体存储器的内部包含用户区、替换区、和管理区。用户区为用户可以使用的数据区。当在用户区中发生错误时替换区被替换。区域替换信息存储区存储区域替换区信息。管理区存储替换信息。信息处理部分在如下两种水平上执行替换。当在半导体存储器区域检测到指示错误征兆的操作时,信息处理部分在存储卡的空闲状态过程中执行区域替换。当在区域中检测到错误操作时,信息处理部分立即执行区域替换。

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