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半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011117507.7
IPC分类号：H05K1/18;H05K3/34
申请日期：
2020-10-19
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其形成方法
申请号	CN202011117507.7	申请日期	2020-10-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113056097A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K1/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K1/00 印刷电路（多个单个半导体器件或固态器件的组装件入H01L 25/00；由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件组成的器件，例如集成电路，薄膜或厚膜电路，入H01L 27/00） H05K1/18 在结构上与非印制电元件相联接的印刷电路（H05K 1/16优先）	IPC分类号	H;0;5;K;1;/;1;8;;;H;0;5;K;3;/;3;4查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	曹智强;邱肇玮;郭炫廷;张家纶;翁正轩;林修任;谢静华
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

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