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一种高增益可见和近红外硅基光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410012447.0
  • IPC分类号:H01L31/102;H01L31/18
  • 申请日期:
    2014-01-02
  • 申请人:
    南开大学
著录项信息
专利名称一种高增益可见和近红外硅基光电探测器及其制备方法
申请号CN201410012447.0申请日期2014-01-02
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-04-09公开/公告号CN103715292A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/102IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人南开大学申请人地址
天津市武清区大碱厂镇幸福道6号203室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津创珪科技有限公司当前权利人天津创珪科技有限公司
发明人吴强;赵丽;马寅星;杨明;陈战东;潘玉松;栗瑜梅;姚江宏;张心正;许京军
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法,其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结,该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素;该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收;该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下,硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离,并向两边的电极运动,被电极收集后形成光电流,从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点,最突出的,该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内,-5V偏压下的响应度均大于为1A/W,在低偏压下实现了高增益。

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