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凸块的制造方法与晶片封装结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200510108091.1
IPC分类号：H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498
申请日期：
2005-09-29
申请人：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	凸块的制造方法与晶片封装结构
申请号	CN200510108091.1	申请日期	2005-09-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-04	公开/公告号	CN1941302
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司	当前权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
发明人	王俊恒
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种凸块的制造方法与晶片封装结构。该凸块的制造方法，先在一基板上形成一第一金属层。接着，在第一金属层上形成一图案化第二金属层。紧接着，在图案化第二金属层上形成多个平顶凸块。最后，图案化第一金属层，以形成多个接垫与连接至这些接垫的多条导线。

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