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平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710170718.5
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2007-11-21
  • 申请人:
    中国科学院上海技术物理研究所
著录项信息
专利名称平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法
申请号CN200710170718.5申请日期2007-11-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-04-30公开/公告号CN101170150
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国科学院上海技术物理研究所申请人地址
上海市玉田路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海技术物理研究所当前权利人中国科学院上海技术物理研究所
发明人乔辉;汤英文;李向阳;龚海梅
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人郭英
摘要
本发明公开了一种平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法,该方法采用湿法腐蚀剥离离子注入表面严重损伤层,腐蚀液用1‰的溴/乙醇或1‰的溴/氢溴酸,腐蚀液温度为冰水点。剥层厚度的确定是基于反偏条件下PN结的I-V曲线给出的暗电流大小或R-V曲线的形状和峰值可以反映器件表面漏电和产生-复合中心密度的大小。通过监测腐蚀过程中PN结的I-V曲线或R-V曲线的变化来确定腐蚀剥层的截止点。本发明的优点是:方法简便有效、重复件好。

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