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一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810085589.8
  • IPC分类号:H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
  • 申请日期:
    2018-01-29
  • 申请人:
    泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
著录项信息
专利名称一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法
申请号CN201810085589.8申请日期2018-01-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-06-22公开/公告号CN108198877A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0288
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;8;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司申请人地址
江苏省泰州市海陵区兴泰南路268号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司当前权利人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
发明人李华;靳玉鹏
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人张弘
摘要
本发明公开了一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法。包括:掺杂有镓的单晶硅基底,以及在其受光面上的发射极,置于发射极表面的正面减反射膜/钝化膜,置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极,导电材料在金属化热处理中局部穿透正面减反射膜/钝化膜材料或通过在正面减反射膜/钝化膜上的局部开膜区域和发射极形成直接接触,以及置于基底背面的背面电极,其中背面电极由两部分组成,设置在背表面的铝电极,以及作为光伏组件焊接点的银电极。此太阳电池的制备方法包括,在掺镓的硅基底上进行表面织构化,并在电池的正面制备发射极,在正面制备钝化及减反射膜,以及在电池的正面和反面制备电极,以及金属化热处理过程。

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