封装方法及相关的封装结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202110812952.3
IPC分类号：B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
申请日期：
2016-11-02
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	封装方法及相关的封装结构
申请号	CN202110812952.3	申请日期	2016-11-02
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-26	公开/公告号	CN113548639A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈志明;谢元智;喻中一
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	李春秀

摘要

本发明的实施例提供封装方法及相关的封装结构。所述方法包括提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成接合区，其中所述第一半导体衬底的所述接合区包括第一接合金属层与第二接合金属层；提供具有接合区的第二半导体衬底，其中所述第二半导体衬底的所述接合区包括第三接合金属层；以及通过使所述第一半导体衬底的所述接合区接触所述第二半导体衬底的所述接合区，将所述第一半导体衬底接合到所述第二半导体衬底；其中所述第一与第三接合金属层包括铜(Cu)，且所述第二接合金属层包括锡(Sn)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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