一种用于防止电荷充电的氮化物只读存储器制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01132907.6
IPC分类号：--
申请日期：
2001-09-04
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种用于防止电荷充电的氮化物只读存储器制作方法
申请号	CN01132907.6	申请日期	2001-09-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-19	公开/公告号	CN1404141
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	刘振钦;宋建龙
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	赵仁临

摘要

本发明是提供一种用于防止电荷充电的氮化物只读存储器(nitride readonly memory，NROM)制作方法。该方法是先于包含有存储器区以及周边区的基底表面形成由底氧化(bottom oxide)层、氮化硅层以及上氧化(topoxide)层所构成的ONO(oxide-nitride-oxide)层。接着于该存储器区内的该ONO层表面形成多条纵向排列的位线掩膜(bit line mask)，并利用第一离子布置处理以于未被该位线掩膜所覆盖的该基底中形成多条埋藏位线(buriedbit line)。随后于该ONO层表面上形成多条横向排列并与该多条埋藏位线几近垂直的字线。最后于各该字线的周围侧壁形成间隔层(spacer)，并于该基底表面依序形成阻绝层以及保护层，以防止在半导体处理中该氮化物只读存储器被电荷充电。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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