半导体基板的保护膜形成方法发明专利
申请号：CN201780021006.9
LOC分类号:H01L21/304
IPC结构图谱：
- F机械工程；照明；加热；武器；爆破
- F2照明；加热
- F24供热；炉灶；通风
- F24H一般有热发生装置的流体加热器，例如水或空气的加热器（热传导、热交换或热贮存材料入C09K 5/00；非催化热裂化用的管式炉入C10G 9/20；密闭体通风或充气装置，例如阀入F16K 24/00；疏水器或类似装置入F16T；蒸汽发生入F22；燃烧设备本身入F23；家用炉或灶入F24B，F24C；住宅或区域供热系统入F24D；炉、窑、烘炉、蒸馏炉入F27；热交换器入F28；电热元件或装置入H05B）
- F24H9/00零部件
- F24H9/20控制或安全装置的配置或安装（控制阀入F16K；燃烧器的安全装置入F23D；燃烧控制装置入F23N；有加热器的系统见有关小类，例如控制供热系统的入F24D 19/10；电加热设备的自动转换入H05B 1/02）
