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玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510299397.3
  • IPC分类号:H01B5/14;H01B13/00
  • 申请日期:
    2015-06-03
  • 申请人:
    林州市清华·红旗渠新材料产业化发展中心
著录项信息
专利名称玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法
申请号CN201510299397.3申请日期2015-06-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-09-23公开/公告号CN104934109A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01B5/14IPC分类号H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人林州市清华·红旗渠新材料产业化发展中心申请人地址
河南省安阳市林州市开发区展示中心 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人林州市清华·红旗渠新材料产业化发展中心当前权利人林州市清华·红旗渠新材料产业化发展中心
发明人张晨光;张钲;王玉鹏;王涛;朱新兵
代理机构郑州立格知识产权代理有限公司代理人王晖
摘要
本发明公开了一种玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法,属于化学领域。该方法,包括步骤:A:利用石墨制得稳定分散的氧化石墨烯胶体水溶液;B:配制1~1.5mg/ml的银纳米线/石墨烯杂化体水溶液作为前驱体以备后用;C:玻璃片处理;D:在玻璃片上制作银纳米线/石墨烯透明导电薄膜;E:后处理。本发明通过简单的一锅热法将一维银纳米线组装负载在石墨烯片层上,可以充分发挥纳米线的纤维结构的优势,在石墨烯薄膜的载体中形成良好的导电网络,使石墨烯薄膜导电率得到了提高。

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