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低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片

发明专利有效专利

申请号：
CN200580033838.X
IPC分类号：C30B23/00
申请日期：
2005-09-27
申请人：
格里公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片
申请号	CN200580033838.X	申请日期	2005-09-27
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2007-10-24	公开/公告号	CN101061262
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	格里公司	申请人地址	美国北卡罗来纳州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格里公司	当前权利人	格里公司
发明人	阿德里安·波维尔;马克·布莱德;斯蒂芬·G·米勒;瓦莱里·F·茨韦特科夫;罗伯特·泰勒·莱昂纳德
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	艾尼瓦尔

摘要

本发明公开了一种直径至少约3英寸和1c螺旋位错密度小于约2000cm-2的高质量SiC单晶晶片。

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