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使用背面高耐压集成电路的半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710162277.4
  • IPC分类号:H01L25/16;H01L25/00;H01L23/488
  • 申请日期:
    2007-10-08
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称使用背面高耐压集成电路的半导体装置
申请号CN200710162277.4申请日期2007-10-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-05-07公开/公告号CN101174618
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/16IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人西村一广
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人浦柏明;刘宗杰
摘要
本发明的目的在于在具有用于控制功率半导体元件的控制电路的半导体装置中,使半导体装置小型化。在导电体(2)上彼此分离地设置有第一开关元件(3)、表面-背面间的耐压比第一开关元件(3)高的背面高耐压集成电路(4)、和绝缘衬底(5)。在背面高耐压集成电路(4)的表面上搭载有对第一开关元件(3)的导通、截止进行控制的控制电路。在绝缘衬底(5)上设置有无源元件部(6)。利用第一布线(8a)连接绝缘衬底(5)和第一开关元件(3),利用第二布线(8b)连接绝缘衬底(5)和背面高耐压集成电路(4)。根据上述结构,无需在绝缘衬底(5)上设置用于控制第一开关元件(3)的集成电路。由此,能够使绝缘衬底(5)缩小,能够使半导体装置(1)小型化和高功能化。

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