分离式栅极快闪存储单元及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510125448.7
IPC分类号：H01L21/8247;H01L27/115
申请日期：
2005-11-17
申请人：
茂德科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	分离式栅极快闪存储单元及其形成方法
申请号	CN200510125448.7	申请日期	2005-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-23	公开/公告号	CN1967811
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人	茂德科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	茂德科技股份有限公司	当前权利人	茂德科技股份有限公司
发明人	傅景鸿;廖宏魁;卢建中
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

一种分离式栅极快闪存储单元包括：一半导体衬底；第一绝缘层，置于该半导体衬底上；一浮动栅极，置于该第一绝缘层上，其中该浮动栅极具有第一宽度；第二绝缘层，置于该浮动栅极上；一控制栅极，置于该第二绝缘层上；一顶盖层，置于该控制栅极上，其中顶盖层、控制栅极以及第二绝缘层具有相同的第二宽度，其中该第二宽度小于该第一宽度；第三绝缘层，置于该控制栅极、该第二绝缘层、该浮动栅极、该第一绝缘层的侧壁、以及该半导体衬底上；以及一抹除栅极，置于该第三绝缘层上。由于浮动栅极形成一突出于控制栅极底部的突出部轮廓，藉此突出部轮廓增加的面积改变电荷分布以形成一尖端放电场，因此可增进浮动栅极至抹除栅极间的抹除效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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