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强磁性材料溅射靶

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180042894.5
  • IPC分类号:C23C14/34;C22C1/04;C22C1/10;C22C5/04;C22C19/07;G11B5/851
  • 申请日期:
    2011-12-06
  • 申请人:
    吉坤日矿日石金属株式会社
著录项信息
专利名称强磁性材料溅射靶
申请号CN201180042894.5申请日期2011-12-06
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-05-01公开/公告号CN103080368A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;2;C;1;/;0;4;;;C;2;2;C;1;/;1;0;;;C;2;2;C;5;/;0;4;;;C;2;2;C;1;9;/;0;7;;;G;1;1;B;5;/;8;5;1查看分类表>
申请人吉坤日矿日石金属株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷客斯金属株式会社当前权利人捷客斯金属株式会社
发明人荒川笃俊;池田祐希
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人王海川;穆德骏
摘要
一种强磁性材料溅射靶,其为包含Pt为5摩尔%以上、其余为Co的组成的金属的溅射靶,其特征在于,该靶的组织具有金属基质(A)和在所述(A)中的、含有40~76摩尔%的Pt的Co-Pt合金相(B)。一种强磁性材料溅射靶,其为包含Pt为5摩尔%以上、Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属的溅射靶,其特征在于,该靶的组织具有金属基质(A)和在所述(A)中的、包含含有40~76摩尔%的Pt的Co-Pt合金的相(B)。本发明得到提高漏磁通、通过磁控溅射装置可以稳定放电的强磁性材料溅射靶。

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