沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210297570.2
IPC分类号：H01L21/285
申请日期：
2012-08-20
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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专利名称	沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法
申请号	CN201210297570.2	申请日期	2012-08-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-12	公开/公告号	CN103632950A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/285 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕 H01L21/283 用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕 H01L21/285 气体或蒸气的沉积，例如冷凝〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	李陆萍;张博
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	高月红

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法，包括：1）沟槽刻蚀；2）介质层生长；3）生长第一层多晶硅；4）第一层多晶硅进行第一步反刻蚀；5）对第一层多晶硅进行光刻及第二步反刻蚀；6）淀积氮化膜；7）淀积HDP氧化膜后，化学机械抛光；8）P-cover光刻；9）HDP氧化膜反刻蚀；10）去除氮化膜的保护层上方的氮化膜；11）去除氮化膜的保护层和氮化膜上方的介质层；12）栅极氧化层生长；13）第二层多晶硅淀积与反刻蚀；14）形成基极和源极；15）形成接触孔、金属和钝化层。本发明解决了两层多晶硅之间介质层厚度难以控制的问题，提高了沟槽型双层栅功率MOS器件性能的稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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