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等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510250282.5
  • IPC分类号:H01L21/3065;H01L21/033
  • 申请日期:
    2015-05-15
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
申请号CN201510250282.5申请日期2015-05-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-25公开/公告号CN105097489A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/3065
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人久松亨;本田昌伸
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;张会华
摘要
本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中,利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中,将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。

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