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CIS传感器的SAB工艺的改善方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202111285638.0
  • IPC分类号:H01L27/146;G03F7/00
  • 申请日期:
    2021-11-02
  • 申请人:
    广州粤芯半导体技术有限公司
著录项信息
专利名称CIS传感器的SAB工艺的改善方法
申请号CN202111285638.0申请日期2021-11-02
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-12-03公开/公告号CN113745258A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人广州粤芯半导体技术有限公司申请人地址
广东省广州市黄埔区中新知识城凤凰五路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广州粤芯半导体技术有限公司当前权利人广州粤芯半导体技术有限公司
发明人朱海斌;李玉科
代理机构上海思捷知识产权代理有限公司代理人尤彩红
摘要
本发明提供了一种CIS传感器的SAB工艺的改善方法,包括:提供器件晶圆,器件晶圆包括相邻的逻辑区和像素区;在器件晶圆的表面形成光刻胶层;进行光刻曝光和显影处理,去除像素区的光刻胶层,逻辑区的光刻胶层作为辅助层;在辅助层和像素区的器件晶圆上形成氧化物层;使用丙酮去除辅助层,辅助层上的氧化物层自然脱落,以暴露出逻辑区的器件晶圆的表面;在逻辑区的器件晶圆上形成用于对准的硅化物,像素区的氧化物层作为保护像素区的介质层。本发明形成介质层没有经过光刻和湿刻,因此,不会引起器件参数漂移和失效,也不会出现光刻胶剥离的问题。并且,使用丙酮去除光刻胶去除得非常干净,形成了质量较高的介质层,更好地保护了逻辑区。

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