半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010870002.1
IPC分类号：G01N15/14;G01N33/487;G01N33/543;G01N27/327;G01N33/574;G01N33/58
申请日期：
2020-08-26
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN202010870002.1	申请日期	2020-08-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112683755A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N15/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N15/00 测试颗粒的特性；测试多孔材料的渗透性，孔隙体积或者孔隙表面积（微生物的识别入C12Q）〔1，4，2006.01〕 G01N15/10 测试单个颗粒〔4〕 G01N15/14 电光测试〔4〕	IPC分类号	G;0;1;N;1;5;/;1;4;;;G;0;1;N;3;3;/;4;8;7;;;G;0;1;N;3;3;/;5;4;3;;;G;0;1;N;2;7;/;3;2;7;;;G;0;1;N;3;3;/;5;7;4;;;G;0;1;N;3;3;/;5;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林璟晖;郑创仁;黄士芬;黄富骏
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

公开了具有bioFET传感器、生物指纹传感器和温度传感器的阵列的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧上形成栅电极，在半导体衬底内的源极区域和漏极区域之间形成沟道区域，以及在半导体衬底的第二侧上形成压电传感器区域。第二侧基本平行于第一侧并且与第一侧相对。该方法还包括在压电传感器区域的形成期间在第二侧上形成温度感测电极，在沟道区域上形成感测阱，以及将捕获试剂结合在感测阱上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供