通过PS微球层提高出光率的OLED器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210309051.3
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/56
申请日期：
2012-08-27
申请人：
华南理工大学

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专利名称	通过PS微球层提高出光率的OLED器件及其制造方法
申请号	CN201210309051.3	申请日期	2012-08-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-19	公开/公告号	CN102832350A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	叶伟光;李冠明;林劭阳;姚日辉;王丹;卓少龙;谭荣辉
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	杨晓松

摘要

本发明公开了通过PS微球层提高出光率的OLED器件，包括OLED元件、PDMS膜和PS微球层，所述PDMS膜一面贴覆于OLED元件的出光面，所述PDMS膜的另一面贴覆PS微球层，所述PS微球层为由PS微球排列组成的单层结构。本发明还公开了一种制造通过PS微球层来提高出光率的OLED器件的方法，包括以下步骤：步骤一、在载体片的平面上制作一层PS微球层；步骤二、在OLED元件的出光面上制作一层PDMS膜；步骤三、将载体片上具有PS微球层的一面与OLED元件上具有PDMS膜的一面贴合，将贴合的结构水平放置于室温环境下，晾干固化；步骤四、将载体片从OLED元件上取下，使PS微球层从载体片上剥离与PDMS膜粘合。具有实施设备简单、成本低，出光率提高显著的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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