薄膜晶体管基板、具有其的液晶显示器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810177818.5
IPC分类号：H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;G02F1/136;G02F1/1362
申请日期：
2008-12-01
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	薄膜晶体管基板、具有其的液晶显示器及其制造方法
申请号	CN200810177818.5	申请日期	2008-12-01
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-10	公开/公告号	CN101452941
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星显示有限公司	当前权利人	三星显示有限公司
发明人	严允成;柳在镇;刘惠兰;朴乘范;金勋
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张波

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管基板、具有这种薄膜晶体管基板的液晶显示器及其制造方法。在这种薄膜晶体管中，第一和第二薄膜晶体管连接到第N条栅线和第M条数据线，并且第一和第二子像素电极分别连接到第一和第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括连接到第N+1条栅线的栅电极、与栅电极交叠的半导体层、连接到第二子像素电极并与栅电极部分地交叠的源电极以及面向源电极的漏电极。第一辅助电极连接到漏电极，并配置在与第一和第二子像素电极相同的层上。对电极配置在与栅线相同的层上，并与第一辅助电极至少部分地交叠，至少一个绝缘层设置在对电极与第一辅助电极之间。

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