气体传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN201010262374.2
IPC分类号：G01N27/12;G01N1/34
申请日期：
2010-08-25
申请人：
株式会社堀场制作所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	气体传感器
申请号	CN201010262374.2	申请日期	2010-08-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-06	公开/公告号	CN102004124A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/12 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;G;0;1;N;1;/;3;4查看分类表>
申请人	株式会社堀场制作所	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社堀场制作所	当前权利人	株式会社堀场制作所
发明人	山岸丰;涉谷享司
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司	代理人	李雪春;武玉琴

摘要

本发明提供一种气体传感器，可以高灵敏度地检测数ppb水平的低浓度NO2。所述气体传感器至少包括：银催化剂构件(4)，在内部形成有样气能够通过的间隙，银至少在所述间隙的表面上露出；第一半导体式气体传感器元件(5)，形成有气体感应膜，该气体感应膜由n型氧化物半导体构成；以及主流动通道(2)，连通所述银催化剂构件和所述第一半导体式气体传感器元件，使所述样气从所述银催化剂构件流向所述第一半导体式气体传感器元件。

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