加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种沟槽栅型IGBT结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910959594.1
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/423
  • 申请日期:
    2019-10-10
  • 申请人:
    全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
著录项信息
专利名称一种沟槽栅型IGBT结构
申请号CN201910959594.1申请日期2019-10-10
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-04-13公开/公告号CN112652657A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司申请人地址
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人全球能源互联网研究院有限公司,国网山西省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司当前权利人全球能源互联网研究院有限公司,国网山西省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司
发明人金锐;李立;和峰;赵哿;王耀华;刘江;高明超;吴军民;潘艳;白鹭;李冠良
代理机构北京安博达知识产权代理有限公司代理人徐国文
摘要
本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构,所述IGBT结构包括:N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7);所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连,且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7),降低PNP分量,增强电导调制效应,降低芯片的饱和压降,同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近,并与N型掺杂发射区(11)相连,可以有效降低沟槽栅型IGBT芯片元胞区域的传输电容,从而降低IGBT芯片的动态损耗,提升整体性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供