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离子植入机

实用新型有效专利
  • 申请号:
    CN201721690613.8
  • IPC分类号:H01J37/32
  • 申请日期:
    2017-12-07
  • 申请人:
    德淮半导体有限公司
著录项信息
专利名称离子植入机
申请号CN201721690613.8申请日期2017-12-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/32IPC分类号H01J37/32查看分类表>
申请人德淮半导体有限公司申请人地址
江苏省淮安市淮阴区长江东路5*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德淮半导体有限公司当前权利人德淮半导体有限公司
发明人田成俊;吴孝哲;倪明明;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人徐文欣;吴敏
摘要
一种离子植入机,包括:工作腔,工作腔包括传送区和植入区;离子源,用于发射离子束至工作腔内;位于工作腔中的承载模块组,用于承载晶圆,承载模块组具有第一工作位置状态和第二工作位置状态;承载模块组包括第一承载模块和第二承载模块;当承载模块组处于第一工作位置状态时,第一承载模块位于传送区,第二承载模块位于植入区,第一承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载,第二承载模块承载晶圆接受离子束的植入;当承载模块组处于第二工作位置状态时,第一承载模块位于植入区,第二承载模块位于传送区,第一承载模块承载晶圆接受离子束的植入,第二承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载。所述离子植入机的工作效率提高。

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