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一种新型多功能传感器芯片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710254835.3
  • IPC分类号:G01K7/16;G01R27/02
  • 申请日期:
    2017-04-18
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称一种新型多功能传感器芯片及其制备方法
申请号CN201710254835.3申请日期2017-04-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-07-18公开/公告号CN106959169A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01K7/16IPC分类号G;0;1;K;7;/;1;6;;;G;0;1;R;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市闵行区东川路800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人张丛春;林兴楷;杨伸勇;丁桂甫;汪红
代理机构上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人徐红银
摘要
本发明提供一种新型多功能传感器芯片及其制备方法,包括硅基衬底,以及设于硅基衬底上的氧化硅绝缘层、温度传感器、C4D电导率传感器、BST薄膜保护层,其中:氧化硅绝缘层覆盖在硅基衬底上方,C4D电导率传感器的四个敏感电极被氧化硅绝缘层包围,温度传感器置于氧化硅绝缘层上方,BST薄膜保护层覆盖在温度传感器、C4D电导率传感器上表面并露出引线电极;当所述芯片置于被测溶液中时,由C4D测量原理,C4D电导率传感器输出被测溶液的阻抗图,将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应电导率值;同时,温度传感器输出相应温度。本发明同时实现温度与电导率测量,具有结构简单、体积小、成本低、耐腐蚀、响应速度快、测量范围大、测量精度高的特点。

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