加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

制造鳍式场效应晶体管器件的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410010730.X
  • IPC分类号:H01L21/8234;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-01-09
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称制造鳍式场效应晶体管器件的方法
申请号CN201410010730.X申请日期2014-01-09
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104576534A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8234
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人谢铭峰;曾文弘;林宗桦;谢弘璋
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;孙征
摘要
本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件,以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后,使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模,蚀刻衬底,以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中,并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件,以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供