薄膜器件的转移方法及其应用

发明专利无效专利

申请号：
CN98800930.7
IPC分类号：--
申请日期：
1998-06-30
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	薄膜器件的转移方法及其应用
申请号	CN98800930.7	申请日期	1998-06-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-10-06	公开/公告号	CN1231065
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	井上聪;下田达也;宫泽和加雄
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上，之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且，在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160)，在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除，并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且，在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是，通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果，薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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