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磁头结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510083139.8
  • IPC分类号:G11B5/127;G11B5/31
  • 申请日期:
    2005-07-13
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称磁头结构
申请号CN200510083139.8申请日期2005-07-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-09-27公开/公告号CN1838240
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B5/127IPC分类号G;1;1;B;5;/;1;2;7;;;G;1;1;B;5;/;3;1查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士通株式会社当前权利人富士通株式会社
发明人青木健一郎
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人陈坚
摘要
公开了一种磁头结构,其可以减小线圈所处的浮动表面的一部分朝向磁盘的突出量。该磁头包括:线圈(22);磁极(26),其允许由所述线圈产生的磁通传送通过并且形成磁隙(24);绝缘层(32),其包围所述线圈;和保护模(34),其覆盖所述绝缘层和磁极,如果将第一方向定义为当沿着其中所述线圈、磁极、绝缘层和保护膜层叠的方向观察时磁头结构的浮动表面侧延伸的方向,并且将第二方向定义为与所述第一方向垂直的方向,则绝缘层在第一方向上的最大长度与在第二方向上的最大长度的比值在1.5至6之间。

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