对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810036154.4
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/68;H01L21/02
申请日期：
2018-01-15
申请人：
上海新阳半导体材料股份有限公司

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专利名称	对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法
申请号	CN201810036154.4	申请日期	2018-01-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-22	公开/公告号	CN108063106A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海新阳半导体材料股份有限公司	申请人地址	上海市松江区思贤路3600号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新阳半导体材料股份有限公司	当前权利人	上海新阳半导体材料股份有限公司
发明人	王溯;史筱超;李成克;耿志月;王卫卫
代理机构	上海弼兴律师事务所	代理人	薛琦;何桥云

摘要

本发明公开了一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方，清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内，第一液管的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴设于清洗桶上，喷嘴与第一液管的进液口相连通，喷嘴用于向第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道设于清洗桶上，真空管道与环形空间相连通，真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。该对准标记重现清洗装置能够减少刻蚀剂和清洗剂的用量，减少对晶圆的二次污染。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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