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用于3DNAND的源极侧编程、方法和装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201980082199.8
IPC分类号：G11C16/04;G11C16/08;G11C16/12;H01L27/1157
申请日期：
2019-12-18
申请人：
桑迪士克科技有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于3DNAND的源极侧编程、方法和装置
申请号	CN201980082199.8	申请日期	2019-12-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113196400A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/04 使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7查看分类表>
申请人	桑迪士克科技有限责任公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桑迪士克科技有限责任公司	当前权利人	桑迪士克科技有限责任公司
发明人	杨翔;B·墨菲;L·德拉拉玛
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	杨贝贝;臧建明

摘要

本发明提供了一种源极侧编程方法和系统。存储器阵列的多个块中的坏触发块可通过确定块的漏极侧选择栅极的阈值电压分布以及确定该分布是否异常来检测。如果分布异常，则该块是坏触发块，这可能导致另一个块中的故障。如果块是坏触发块，则通过经由源极侧线将非零电压施加到坏触发块的至少一个源极侧字线来对坏触发块的至少一个字线执行源极侧编程。

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