使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201180047008.8
IPC分类号：H01J37/317;H01J37/305
申请日期：
2011-09-28
申请人：
瓦里安半导体设备公司

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著录项信息

专利名称	使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统
申请号	CN201180047008.8	申请日期	2011-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-12	公开/公告号	CN103155090A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/317 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/317 用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;3;7;/;3;0;5查看分类表>
申请人	瓦里安半导体设备公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦里安半导体设备公司	当前权利人	瓦里安半导体设备公司
发明人	卢多维克·葛特;派崔克·M·马汀;约瑟·C·欧尔森
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	臧建明

摘要

一种使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统。使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法包括以下步骤。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。

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