多晶硅制造装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820056087.4
IPC分类号：C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00
申请日期：
2008-03-11
申请人：
上海汉虹精密机械有限公司

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著录项信息

专利名称	多晶硅制造装置
申请号	CN200820056087.4	申请日期	2008-03-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/04 由液态制备〔5〕 C30B28/06 正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海汉虹精密机械有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海汉虹精密机械有限公司,上海申和热磁电子有限公司	当前权利人	上海汉虹精密机械有限公司,上海申和热磁电子有限公司
发明人	河野贵之;贺贤汉
代理机构	上海天翔知识产权代理有限公司	代理人	吕伴

摘要

本实用新型公开的多晶硅制造装置，包括一腔体；位于所述的腔体内的坩埚，所述的坩埚用于装入硅；位于所述腔体内且设置在所述坩埚四周的隔热材料；设置在所述隔热材料内并位于所述的坩埚侧面的侧面加热器；其特征在于，在所述隔热材料内，且位于坩埚上方顶部的顶部加热器，所述侧面和顶部加热器对装入所述的坩埚内的硅进行加热；以及所述的侧面和顶部加热器与一控制电路连接，所述的控制电路控制所述的加热器的输出。本实用新型在使用坩埚制造具有单向凝固组织的硅锭时，通过控制电路能够对侧面和顶部加热器进行控制，保证坩埚底部的多晶硅开始凝固时，坩埚上部及顶部的多晶硅仍处于熔融状态，以有效实施单向凝固。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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