半导体封装及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010666748.0
IPC分类号：B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00
申请日期：
2020-07-13
申请人：
力成科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体封装及其制造方法
申请号	CN202010666748.0	申请日期	2020-07-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112897449A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;C;3;/;0;0查看分类表>
申请人	力成科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力成科技股份有限公司	当前权利人	力成科技股份有限公司
发明人	林南君;徐宏欣;张简上煜;张文雄
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	朱颖;刘芳

摘要

本发明提供一种半导体封装，包括多个第一芯片、多个硅穿孔、至少一绝缘体、第一电路结构以及第一密封体。第一芯片电性连接至多个硅穿孔且包括具有传感区的第一有源面、第一背面以及从第一背面朝向第一有源面延伸的多个通孔。绝缘体配置于第一芯片的第一有源面上。第一电路结构配置于第一芯片的第一背面上且电性连接至多个硅穿孔。第一封装体侧向包封第一芯片。一种半导体封装的制造方法亦被提出。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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